《科創(chuàng)板日報》12月5日訊 根據(jù)“深圳工信”公眾號今日消息，《深圳市算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃(2024-2025)》于日前印發(fā)。其中提到，到2025年，全市基本形成空間布局科學(xué)合理，規(guī)模體量與極速先鋒城市建設(shè)需求相匹配，計算力、運載力、存儲力及應(yīng)用賦能等方面與數(shù)字經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展相適應(yīng)，綠色低碳和自主可控水平顯著提升的先進(jìn)算力基礎(chǔ)設(shè)施布局，構(gòu)建通用、智能、超算和邊緣計算協(xié)同發(fā)展的多元算力供給體系，打造“多元供給、強算賦能、泛在連接、安全融通”的中國算網(wǎng)城市標(biāo)桿。

基本形成算力多元泛在、存力安全可靠、運力優(yōu)質(zhì)互聯(lián)、算存運協(xié)同建設(shè)的算力基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)體系。

存力方面，本次《計劃》提出了具體的定量目標(biāo)——到2025年，存儲總量達(dá)到90EB。先進(jìn)存儲容量占比達(dá)到30%以上，重點行業(yè)核心數(shù)據(jù)、重要數(shù)據(jù)災(zāi)備覆蓋率達(dá)到100%。

落實到具體舉措上，《計劃》則從現(xiàn)金存儲技術(shù)、熱溫冷數(shù)據(jù)分類分級標(biāo)準(zhǔn)體系、關(guān)鍵行業(yè)數(shù)據(jù)容災(zāi)備份三方面入手。

其中在先進(jìn)存儲技術(shù)中，《計劃》提出，鼓勵存算并舉，規(guī)劃建設(shè)與計算相匹配的存儲體系。加速全閃存、藍(lán)光存儲、硬件高密等技術(shù)部署，構(gòu)建基于先進(jìn)存儲的存力基礎(chǔ)設(shè)施。推動存儲系統(tǒng)間數(shù)據(jù)流動能力建設(shè)，通過合理的存儲分級分層，實現(xiàn)存儲資源的高效管理和利用。

值得注意的是，10月初工信部等六部門聯(lián)合印發(fā)《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》中，也已強調(diào)存力發(fā)展：到2025年存儲總量需超過1800EB，其中先進(jìn)存儲容量占比超過30%，重點行業(yè)核心數(shù)據(jù)、重要數(shù)據(jù)災(zāi)備覆蓋率達(dá)到100%。

在具體存力技術(shù)上，其提出圍繞全閃存、藍(lán)光存儲、硬件高密、數(shù)據(jù)縮減、編碼算法、芯片卸載、多協(xié)議數(shù)據(jù)互通等技術(shù)，推動先進(jìn)存儲創(chuàng)新發(fā)展。

▌存力已成競爭焦點之一

如今存力對算力的重要性愈發(fā)凸顯，可以說，存力已成為算力的競爭焦點之一。

英偉達(dá)11月發(fā)布的最新AI芯片H200，其與H100算力基本相當(dāng)，但性能卻大幅提升60%-90%，關(guān)鍵便在于存力的大幅提升——H100內(nèi)存容量為80GB，帶寬為3.35TB/s；H200則是全球首款搭載HBM3e的GPU，內(nèi)存容量高達(dá)141GB，帶寬為4.8TB/s，內(nèi)存配置明顯提升。

總體而言，AI服務(wù)器用到的主要存儲器包括CPU內(nèi)存、GPU顯存和硬盤NAND等，存儲器容量和價值量均較普通服務(wù)器有數(shù)倍提升。據(jù)招商證券數(shù)據(jù)顯示：

1）DRAM：總內(nèi)存容量相較普通服務(wù)器有4-8倍的提升，僅CPU內(nèi)存價值量預(yù)計有5倍的提升，GPU的HBM則為純增量市場；同時最先進(jìn)的AI服務(wù)器已搭配DDR5或LPDDR5；

2）NAND：AI服務(wù)器的硬盤容量較傳統(tǒng)服務(wù)器提升2-4倍，另外傳統(tǒng)服務(wù)器同時使用機械硬盤和SSD，但AI服務(wù)器基本全部使用SSD，整體價值量較普通服務(wù)器預(yù)計提升10倍左右。

而六部門聯(lián)合印發(fā)的《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》，以及深圳市發(fā)布的《深圳市算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃(2024-2025)》，也為算力基建中的存力發(fā)展指出了更為明晰的方向。

據(jù)《科創(chuàng)板日報》不完全統(tǒng)計，A股中先進(jìn)存儲相關(guān)廠商包括：