財聯(lián)社7月16日電，中信證券研報指出，以碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、擊穿電場高、熱導率高等特點，是半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的重要方向。碳化硅襯底位于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心上游，采用碳化硅功率器件的高壓快充新能源汽車更能適應其增加續(xù)航里程、縮短充電時間和提升電池容量等需求，預計將成為未來的主流選擇，驅動碳化硅襯底需求進一步增長。