財聯(lián)社11月26日訊（記者 王碧微）眼下，存儲市場正面臨著AI需求持續(xù)高漲以及消費終端市場萎靡?guī)淼漠a(chǎn)品需求分化。多位企業(yè)、分析人士在近日接受財聯(lián)社記者采訪時用“冰火兩重天”來形容存儲市場目前的狀態(tài)?；蹣s科技(SIMO.US)CAS業(yè)務群資深副總段喜亭向財聯(lián)社記者透露，一方面企業(yè)級產(chǎn)品需求高漲，“常常接到客戶的電話，問我們的企業(yè)級產(chǎn)品什么時候可以出貨”；另一方面模組廠商和其下游客戶在進行“價格戰(zhàn)”，出貨仍不暢旺。

展望后市，多位受訪者告訴記者，這樣的趨勢預計延續(xù)至明年。

TrendForce 集邦咨詢分析預計，明年傳統(tǒng)DRAM中先進制程產(chǎn)品價格預計穩(wěn)健、成熟制程則有跌價風險；NAND企業(yè)級及消費級產(chǎn)品價格仍分化，整體價格則預計在年初下跌、年中后回暖。值得一提的是，被視作目前GPU最佳存儲解決方案的HBM芯片目前仍處供不應求狀態(tài)，除三星、海力士等海外供應商正積極擴產(chǎn)外，國產(chǎn)玩家亦已經(jīng)“在路上”。

存儲市場陷“冰火兩重天”

2023年Q4開始，存儲行業(yè)進入強勢漲價周期。以DRAM為例，TrendForce 集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，從去年Q4到今年Q3，DRAM連續(xù)四個季度價格飆漲，季漲幅均超10%。

然而此次漲價主要系原廠不堪忍受虧損并非需求大幅增長促進帶來，這令本不暢旺的消費級存儲市場更加低迷。

“2024年，存儲產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了‘冰火兩重天’的行情。一方面消費電子存儲市場表現(xiàn)低迷，智能手機、筆電市場呈現(xiàn)出旺季不旺的景象；另一方面，AI對存儲產(chǎn)品性能提出更高要求，助推高端存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲。”時創(chuàng)意董事長倪黃忠日前在集邦咨詢存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上接受財聯(lián)社記者采訪時表示道。

在此情況下，下半年存儲原廠與模組、終端廠商的盈利能力出現(xiàn)分歧。

原廠三星電子今年Q3總營收達79.1萬億韓元（約573億美元），同比增長17.3%，環(huán)比增長7%；海力士Q3營業(yè)收入為17.57萬億韓元，環(huán)比增長7%，同比增長94%，創(chuàng)歷史新高。

另一方面，慧榮科技CAS業(yè)務群資深副總段喜亭告訴財聯(lián)社記者，“在下游需求不暢旺的情況下，很多模組廠商及很多客戶就開始殺價競爭，因為想要出貨，所以導致價格非常疲軟。然而即使終端價格疲軟，出貨量還不是很順暢，因為降價并沒有將需求端刺激起來?！?/p>

以小米為例，今年Q3小米集團（01810.HK）智能手機ASP由2023年第三季度的每部997.0元上漲10.6%至今年的每部1102.2元；智能手機毛利率卻由2023年第三季度的16.6%減少至2024年第三季度的11.7%?？偛帽R偉冰在財報電話會上稱，這與第三季度是內(nèi)存價格的最高峰及產(chǎn)品的發(fā)布時間和節(jié)奏有關(guān)。

因此，不少消息稱終端廠商減少存儲備貨。以模組等中下游環(huán)節(jié)為主的國內(nèi)存儲商們則壓力較大，如佰維存儲(688525.SH)、江波龍（301308.SZ）等國產(chǎn)存儲模組廠商均在Q3出現(xiàn)了凈利潤虧損的情況。

值得一提的是，近期存儲產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格下跌嚴重，部分低容量內(nèi)存條近半年多跌幅已逾40%。集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮告訴財聯(lián)社記者，除需求不振外，還存在一些其他因素，“近期的存儲現(xiàn)貨跌價嚴重，實際上與一些廠商將二手內(nèi)存條拆成顆粒，打成一般消費型的內(nèi)存出貨有關(guān)，擾亂了整個市場。”

“但在企業(yè)級存儲方面，現(xiàn)在是非?；馃?，常常接到客戶的電話，問我們什么時候可以搞定，可以出貨等等，所以目前的狀況是非常兩極化。”段喜亭向財聯(lián)社記者表示道。

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，今年Q4，在經(jīng)歷了Q3至高20%的漲價后，企業(yè)級SSD仍預計單季增長0-5%，而NAND整體的卻預計在當季下跌3-8%。

“AI的風還目前停留在資料中心，暫時沒有吹到終端設備上面來?！睂τ谶@種分歧的原因，段喜亭總結(jié)道。

傳統(tǒng)產(chǎn)品分化趨勢仍延續(xù) HBM具有確定性

“我認為明年這種分化其實還是非常嚴重的。 AI的熱度還是持續(xù)，但是價格會往下走一些；消費類的存儲會回歸到一個相對健康的狀態(tài)?！蹦唿S忠說。

傳統(tǒng)DRAM方面，集邦咨詢分析師吳雅婷表示，2025年制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢；DDR5與LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第四季底開始下跌。在此情況下，集邦咨詢預計傳統(tǒng)DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，在今年價格整體上漲了約43~48%的情況下，集邦咨詢預計明年整體的合約價預計上漲15~20%，主要來自于企業(yè)級SSD年漲23~28%的促進。不過，明年的漲價主要會在下半年發(fā)生，Q2之前NAND市場整體價格較為平穩(wěn)。

相較于傳統(tǒng)DRAM及NAND目前的尷尬處境，因AI服務器而異軍突起的HBM則仍維持強勢。

吳雅婷表示，目前HBM部分供應商已完成合約價商談，預計同產(chǎn)品價格上漲10%；而HBM3e12hi的量產(chǎn)將進一步帶動均價上漲；整體來看，HBM的需求量增長達到117%。

問及其他存儲芯片在GPU等AI芯片生產(chǎn)中能否替代HBM，段喜亭直言：“放眼目前可見的未來，還看不到HBM的替代品”。

HBM即高帶寬存儲，屬于DRAM大類。其內(nèi)部由多層DRAM Die垂直堆疊，每層Die通過硅通孔（TSV）技術(shù)實現(xiàn)與邏輯Die連接，使得8層、12層Die封裝于小體積空間中，從而實現(xiàn)小尺存與高帶寬、高傳輸速度的兼容。

段喜亭解釋稱，GPU在做大語言模型運算的時候，會一次性吸收巨量的數(shù)據(jù)進行運算，提供的數(shù)據(jù)越多，其運算效率越高，因此對于存儲的資料吞吐量要求很高。單顆的DRAM資料存儲量很低，資料吞吐量不夠，因此需要使用把DRAM 堆疊起來做成的HBM。

目前，已量產(chǎn)出貨的HBM中仍未見國產(chǎn)廠商身影，不過郭祚榮告訴財聯(lián)社記者，或許將在2-3年內(nèi)國產(chǎn)HBM就將有較大突破。

“之前有聽到國內(nèi)的內(nèi)存廠開始做HBM的消息，我覺得以國內(nèi)廠商的研發(fā)能力來說，兩三年之內(nèi)應該可以看到國產(chǎn)HBM開始供貨。從工廠的技術(shù)設備等硬實力方面來說，我覺得是足夠的。”郭祚榮告訴記者。

如長江存儲集團下的武漢新芯公司于今年三月發(fā)布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設》招標項目，表示將利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品。日前，該公司已在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導備案報告，

此外，長電科技（600584.SH）、芯碁微裝(688630.SH)、通富微電（002156.SZ）等封裝廠商均在布局支持HBM生產(chǎn)的相關(guān)技術(shù)。